参数 | 值 |
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产品 | 未分类 |
型号编码 | CSD75207W15n: 0 |
说明 | 未分类 9-uFBGA,DSBGA 9-DSBGA |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 401 [库存更新时间:2024-04-30] |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET类型 | 逻辑电平门 |
连续漏极电流Id | 3.9A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 162 毫欧 @ 1A,1.8V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.7nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 595pF @ 10V |
功率 | 7/10W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
封装/外壳 | 9-uFBGA,DSBGA |
封装/外壳 | 9-DSBGA |